Infineon siegt in Patentstreit um GaN-Technologie gegen chinesischen Hersteller
Finn Klein
Infineon siegt in Patentstreit um GaN-Technologie gegen chinesischen Hersteller
Infineon Technologies gewinnt zwei Patentverletzungsverfahren in Deutschland gegen den chinesischen Hersteller Innoscience
Die Urteile betreffen Galliumnitrid-Technologie (GaN), ein Schlüsselmaterial für energieeffiziente Stromsysteme. Das Gericht stellte fest, dass Innoscience patentierte GaN-Lösungen von Infineon ohne Erlaubnis genutzt hatte.
Das Landgericht München I entschied in beiden Fällen zugunsten von Infineon. Für Innoscience sind dies die dritte und vierte juristische Niederlage in Streitigkeiten um das geistige Eigentum des Münchner Halbleiterherstellers. Das Gericht untersagte dem Unternehmen, die patentverletzenden Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Zudem wurde Innoscience zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt.
Infineon hält rund 450 GaN-Patentfamilien in seinem Portfolio und festigt damit seine Position als führender Anbieter von integrierten Bauelementen auf dem GaN-Markt. Bereits zuvor hatten Gerichte in Deutschland und den USA entschieden, dass Produkte von Innoscience Patente von Infineon verletzen.
Johannes Schoiswohl, Leiter der GaN-Systems-Sparte bei Infineon, begrüßte die Entscheidung. Er betonte, dass das Urteil die Stärke des GaN-Portfolios des Unternehmens unterstreiche und dessen Engagement für den Schutz von Innovationen sowie faire Wettbewerbsbedingungen bestätige.
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GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige, energiesparende Anwendungen in Bereichen wie erneuerbare Energien, Rechenzentren und Elektrofahrzeuge. Infineon treibt weiterhin Halbleiterinnovationen voran, um globale Herausforderungen wie Dekarbonisierung und digitale Transformation zu bewältigen. Das Unternehmen bleibt entschlossen, sein geistiges Eigentum im GaN-Markt zu verteidigen.
